成都瑞芯电子有限公司
企业简介
  成都瑞芯是日本瑞萨和松下的代理商。 代理瑞萨的产品主要有以下的: 1.二极管:肖特基二极管,系统保护用二极管,电泳吸收 用二极管,齐纳二极管(稳压管),小信号用二极管,高频用二极管等。 2.三极管:主要包括IGBT,小信号放大用三极管,小信号开关用三极管三大类。 3.Power MOSFETs:主要包括Power MOSFETs for Amplifier及Power MOSFETs for Switching两大类。 4.晶闸管。 5.MCU。 6.通用IC,包括电源管理IC,A/D,D/A Converter,Reset Monitor IC等。 7.lcd驱动/控制IC。 欲更多了解瑞萨产品,可以登录www.renesas.com。 代理松下的产品主要有以下: 1.光电半导体:发光二极管(LED),光电探测器,光入射器,光耦合器,光应用产品。 2.二极管:开关二极管,肖特基势垒二极管,整流二极管,齐纳二极管。 3.三极管:小信号FET,小信号双极性三极管,内置电阻三极管,双极性功率晶体管,功率MOS FET,IGBT。 4.专用IC:影响产品用,音响产品用,通讯产品用,信息产品用,电源用,马达用,D/A转换器用,时钟用。 5.MCU:8-32位微控制器。 欲更多了解松下产品,可以登录http://panasonic.cn/semicon。 公司还自行进行一些IC设计,现已有的产品有TVT6710(155Mpbs Fiber-OPtic PIN Pre-Amplifier with AGC,用于光接收模块),Power MOSFET,TVT178(用于音频光线发射端子,速率可达20Mpbs)等。
成都瑞芯电子有限公司的工商信息
  • 510109000030749
  • 存续(在营、开业、在册)
  • 有限责任公司(自然人投资或控股)
  • 2005年09月27日
  • 朱怀宇
  • 2092.000000
  • 2005年09月27日 至 3999年01月01日
  • 高新工商局
  • 2014年08月20日
  • 成都高新区世纪城南路216号天府软件园D区6号楼14层
  • 集成电路的设计、开发、测试及封装;半导体分立器件设计、开发;系统应用方案设计与工发,应用软件设计,仪器仪表设计、研制;计算机及外用设备、电子元器件的销售;货物进出口、技术进出口(法律、行政法规禁止的除外;法律、行政法规限制的取得许可后方可经营)。
成都瑞芯电子有限公司的商标信息
序号 注册号 商标 商标名 申请时间 商品服务列表 内容
1 5230614 CPEC 2006-03-22 印刷电路;集成电路;集成电路块;半导体器件;集成电路卡;已录制的计算机操作程序;计算机软件(已录制);计算机程序(可下载软件);读出器(数据处理设备);计算机 查看详情
成都瑞芯电子有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN203553174U 可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管 2014.04.16 本实用新型公开了一种可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管,包括衬底(20)及N外延层(
2 CN203277388U 量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构 2013.11.06 量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构,包括外延层,及位于外延层中深度相同的第一隔离槽和
3 CN203260588U 一种功率MOSFET的沟槽终端结构 2013.10.30 一种功率MOSFET的沟槽终端结构,包括衬底和位于衬底上的外延层,包括如下全部特征:所述外延层上具有
4 CN103346167A 可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管及其制造方法 2013.10.09 本发明公开了一种可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管及其制造方法,包括衬底(20)及N
5 CN103295911A 一种功率MOSFET的沟槽终端结构及制造方法 2013.09.11 一种功率MOSFET的沟槽终端结构制造方法,包括:步骤101.在衬底上生长外延层;在外延层上刻蚀形成
6 CN103280452A 量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构及制造方法 2013.09.04 量子场分布的TrenchMOSFET沟槽终端结构,包括外延层,及位于外延层中深度相同的第一隔离槽和平
7 CN202758892U 一种具有沟槽源极场板的Trench MOSFET晶体管 2013.02.27 本实用新型公开了一种具有沟槽源极场板的TrenchMOSFET晶体管,从下往上依次包括漏极(213)
8 CN102053645B 一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源 2013.01.16 本发明公布了一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源,包括依次连接的自偏置电路(1)、第一级预调整电路(
9 CN102856385A 一种具有沟槽源极场板的Trench MOSFET晶体管及其制备方法 2013.01.02 本发明公开了一种具有沟槽源极场板的TrenchMOSFET晶体管及其制备方法,所述晶体管下往上依次包
10 CN102110717B 沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法 2013.01.02 本发明公开了一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管,包括N+衬底层、N-外延层、栅氧化层、硼磷硅玻璃
11 CN101762790B 电池组电路的测试设备及其测试方法 2012.10.10 本发明公开了一种电池组电路的测试设备,主要由测试控制仪,与测试控制仪相连接的直流电源PSH、直流电源
12 CN102117088B 一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源 2012.09.05 本发明公布了一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源,包括启动电路、PTAT产生电路、CTAT产生
13 CN201945906U 一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源 2011.08.24 本实用新型公布了一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源,包括启动电路、PTAT产生电路、CTAT
14 CN201936886U 沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管 2011.08.17 本实用新型公开了一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管,包括N+衬底层、N-外延层、栅氧化层、硼磷硅
15 CN201936216U 一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源 2011.08.17 本实用新型公布了一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源,包括依次连接的自偏置电路(1)、第一级预调整电
16 CN102117088A 一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源 2011.07.06 本发明公布了一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源,包括启动电路、PTAT产生电路、CTAT产生
17 CN102110717A 沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法 2011.06.29 本发明公开了一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管,包括N+衬底层、N-外延层、栅氧化层、硼磷硅玻璃
18 CN102053645A 一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源 2011.05.11 本发明公布了一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源,包括依次连接的自偏置电路(1)、第一级预调整电路(
19 CN201601859U 一种非隔离式LED驱动电路 2010.10.06 本实用新型公开了一种非隔离式LED驱动电路,主要由集成电路芯片U及负载LED组成,其特征在于:该负载
20 CN201532402U 一种新型双极性电源 2010.07.21 本实用新型公开了一种新型双极性电源,其特征在于:主要由负载、二极管D、直流电源S以及电子开关K组成;
21 CN101762790A 电池组电路的测试设备及其测试方法 2010.06.30 本发明公开了一种电池组电路的测试设备,主要由测试控制仪,与测试控制仪相连接的直流电源PSH、直流电源
22 CN201289631Y 一种新型笔记本电池盒 2009.08.12 本实用新型公开了一种新型笔记本电池盒,主要由普通电池盒构成,其特征在于,该笔记本电池盒还包括微控制器
23 CN101393474A 一种笔记本电池盒及其应用方法 2009.03.25 本发明公开了一种笔记本电池盒,主要由普通电池盒构成,其特征在于,该笔记本电池盒还包括微控制器MCU固
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